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首页 - 课程列表 - 课程详情
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半导体物理学-2022秋季
课程类型：
选修课
发布时间：
2024-03-12 09:10:18
主讲教师：
课程来源：
建议学分：
0.00分
课程编码：
mk002128
课程介绍
课程目录
教师团队
{1}--第一单元
[1.1]--1.1半导体的晶格结构和结合性质
（12分钟）
[1.2]--1.2原子的能级和晶体的能带
（12分钟）
{2}--第二单元
{3}--第三单元
[3.4.1]--3.4-1杂质半导体的费米能级
（14分钟）
[3.4.2]--3.4-2杂质半导体的载流子浓度
（14分钟）
[3.5]--3.5一般情况下载流子的统计分布
（10分钟）
[3.6]--3.6 简并半导体
（12分钟）
{4}--第四单元
[4.1]--4.1载流子的漂移速度和迁移率
（7分钟）
[5.3.3]--5.3-3表面复合和陷阱效应
（7分钟）
{5}--第五单元
[5.4]--5.4载流子的扩散运动和爱因斯坦关系
（11分钟）
[5.5]--5.5连续性方程
（9分钟）
{6}--第六单元
[6.1.1]--6.1-1pn结的形成及空间电荷区
（10分钟）
[6.1.2]--6.1-2pn结能带图及载流子分布
（10分钟）
[6.1.3]--6.1-3非平衡状态下pn结能带图及电流分布
（10分钟）
[6.2.1]--6.2-1理想pn结电流电压特性
（12分钟）
[6.2.2]--6.2-2影响pn结电流电压特性的各种因素
（17分钟）
[6.3]--6.3pn结电容
（16分钟）
[6.4]--6.4pn结击穿
（13分钟）
[6.5]--6.5pn结隧道效应
（11分钟）
{7}--第七单元
[7.1]--7.1金属和半导体的功函数
（12分钟）
[7.2]--7.2金属和半导体的接触电势差
（13分钟）
[7.3]--7.3表面态对接触势垒的影响
（9分钟）
[7.4]--7.4金属半导体整流和非整流接触
（11分钟）
{8}--第八单元
[8.1]--8.1表面态
（13分钟）
[8.2.1]--8.2-1空间电荷区类型及其电场电势电容
（11分钟）
[8.2.2]--8.2-2空间电荷层性质
（15分钟）
[8.3]--8.3MIS结构的C-V特性
（16分钟）
[8.4]--8.4硅-二氧化硅系统的性质
（13分钟）
{9}--第十单元
{10}--第十一单元
{11}--第十二单元
{12}--第十三单元
{13}--第十四单元
{14}--第十五单元
{15}--第十六单元
